На рассматриваемом шасси в случае возникновения критических неисправностей предусмотрена защита:
- преобразователя источника питания
- вторичных цепей источника питания
- выходного каскада кадровой развертки
- выходного каскада строчной развертки (защита от рентгеновского излучения)
Защита преобразователя источника питания
Схема источника питания представляет собой однотактный обратноходовый преобразователь и построена на основе микросхемы IC921 типа STR-F6653 фирмы SANKEN. Микросхема состоит из схемы управления и силового полевого транзистора структуры MOSFET. В составе микросхемы имеются схемы защиты от превышения входного напряжения, токовой защиты и термозащиты. В дежурном режиме преобразователь источника питания работает на частоте около 17 кГц (осц. 19), а в рабочем — на частоте около 100 кГц (осц. 20).
Если сетевое напряжение превысит 260 В, напряжение на выв. 4 микросхемы IC921 станет больше 20,5 В, сработает схема защиты по перенапряжению и опорный генератор преобразователя будет заблокирован. В результате напряжения всех вторичных напряжений источника питания станут равны нулю.
В случае токовой перегрузки ИП, возникающей в результате неисправностей элементов ИП или в нагрузочных цепях, возрастает ток через силовой ключ (выв. 2, 3 микросхемы), а значит растет падение напряжения на датчике тока R922 R923, которое подается на вход схемы токовой защиты — выв. 1 IC921. Когда его значение превысит 0,73 В, схема срабатывает и блокирует работу опорного генератора преобразователя, что приводит к снятию всех выходных напряжений ИП.
В дополнение к встроенной схеме защиты от перенапряжения имеется внешняя схема защиты. Она реализована на элементах R932, R934, D927 и контролирует входное напряжение преобразователя. Если его величина выше нормы, потенциал в точке соединения резисторов R932, R934 становится больше 6,8 В. В результате стабилитрон D927 открывается и высокий потенциал поступает на вход схемы защиты от токовой перегрузки. Далее схема работает, как и в случае токовой перегрузки.
Встроенная в микросхему IC921 схема термозащиты блокирует опорный генератор, когда температура кристалла микросхемы превышает 140 "С.
Защита вторичных цепей ИП
Схема защиты реализована на транзисторе Q981. Выходы вторичных стабилизаторов ИП +12 В (Ю971), +9 В (IC972), +5 В (IC973) и +5 В TEXT (IC974) подключены через разделительные диоды D981—D983, D986 к базе транзистора Q981. В случае перегрузки или неисправности одного из интегральных стабилизаторов напряжение на его выходе становится равным нулю, открывается соответствующий диод D981—D983, D986 и на базе транзистора Q981 появляется низкий потенциал. Транзистор открывается, на его коллекторе формируется высокий уровень — сигнал PROTECT, который поступает на выв. 33 микроконтроллера IC701. Микроконтроллер в этом случае сигналом высокого уровня P-ON/OFF (выв. 19 IC701) переводит ИП в дежурный режим.
Схема защиты канала +115 В от перегрузки реализована на элементах Q950, D950, С960, R950—R952, R954, R955. В случае короткого замыкания в схеме выходного каскада строчной развертки конденсатор С960 заряжается по цепи: +115В—С960—R952—общий. Отрицательным потенциалом открывается транзистор Q950, напряжение в точке соединения резисторов R954, R955 достигает напряжения пробоя стабилитрона D950 (6,8 В) и он открывается. В результате формируется аварийный сигнал высокого уровня X.RAY, который поступает на выв. 48 IC701. Микроконтроллер в этом случае переводит ИП в дежурный режим сигналом высокого уровня P-ON/OFF (выв. 19 Ю701).
Защита выходного каскада кадровой развертки
Схема защиты реализована на элементах R451, R453, R455, R456, С450, Q425. В случае возникновения неисправностей в выходных цепях схемы кадровой развертки (короткое замыкание кадровых катушек, неисправна микросхема IC421, пробит конденсатор С433) положительный потенциал в точке соединения резисторов R455, R456 уменьшается, открываются диод D425 и транзистор Q425. В результате на коллекторе Q425 формируется аварийный сигнал высокого уровня X.RAY, который поступает на выв. 48 IC701. Микроконтроллер в этом случае сигналом высокого уровня P-ON/OFF (выв. 19 (С701) переводит ИП в дежурный режим.
Защита от рентгеновского излучения
Для формирования аварийного сигнала используются импульсы обратного хода строчной развертки, которые снимаются с обмотки 3—10 ТДКС Т522. Их амплитуда пропорциональна величине анодного напряжения, формируемого схемой строчной развертки. Если в результате аварии (неисправны элементы выходного каскада строчной развертки Q521, Т521, Q522, Т522, С524, С525) высокое напряжение становится больше номинального значения, то положительный потенциал на конденсаторе С592 достигает величины напряжения пробоя стабилитрона D591. В результате стабилитрон открывается и формируется аварийный сигнал X.RAY. Далее схема защиты работает аналогично описанным выше.